Iron silicides formation on Si (100) and (111) surfaces through theoretical modeling of sputtering and annealing : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2020

Идентификатор DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146736

Ключевые слова: Annealing, Epitaxial films, Fe3Si, MD simulation, Sputtering, Atoms, Buffer layers, Deposition rates, Iron, Iron compounds, Molecular dynamics, Silicides, Silicon, Substrates, Silicon substrates, Silicon surfaces, Stoichiometric compositions, Structure formations, Substrate temperature, Temperature growth, Temperature increase, Theoretical modeling, Crystal atomic structure

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Applied Surface Science

Выпуск журнала: Vol. 527

Номера страниц: 146736

ISSN журнала: 11694332

Издатель: Elsevier B.V.

Авторы

  • Chepkasov I.V. (Abakan%655017%Russian Federation)
  • Baidyshev V.S. (Abakan%655017%Russian Federation)
  • Sukhanova E.V. (Dolgoprudny%Moscow Region%141701%Russian Federation%Emanuel Institute of Biochemical Physics RAS%Moscow%199339%Russian Federation)
  • Visotin M.A. (Krasnoyarsk%660041%Russian Federation)
  • Sule P. (of Nanostructures%Budapest%Hungary)
  • Popov Z.I. (Moscow%199339%Russian Federation)

Вхождение в базы данных

  • Scopus

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.